氮化镓

第三代半导体材料中的典型代表

在功率半导体、照明、通信领域以及航空航天等特种应用领域具有广泛的应用前景和巨大的应用潜力。 目前,GaN已在消费电子和汽车电子的充电设备中得到了广泛应用,在功率转换电路中应用GaN器件可极大的提高能源利用效率, 还可以使手机、笔记本等充电器的体积最多缩小80%,极大地减小设备体积提高集成度和便携性,例如65W氮化镓充电器就只有普通65W充电器体积的一半

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在GaN半导体的应用中,为了实现失效安全的增强型(E-mode)操作, 人们广泛研究了基于凹槽栅结构的MIS栅和p-GaNregrowth栅增强型GaN HEMT器件。 在实际的器件制备过程中精确控制栅极凹槽刻蚀深度以及减小凹槽界面态密度将直接影响着器件的阈值电压均匀性和栅极可靠性, 尤其是在大规模量产中会直接影响器件的量产良率。然而,到目前为止,利用现有技术手段无法同时解决这两大问题

研究成果

近日,南科大深港微电子学院院长于洪宇教授团队在AlGaN/GaN HEMT器件研究中取得系列进展, 相关成果分别在国际微电子器件权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices以及 IOP Semiconductor Science and Technology 线上发表。

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